Борисенко Виктор Евгеньевич
Родился 14 января 1951 г. в г. Запорожье (Украина).
С 1958 по 1968 гг. учился в средней школе № 49 г. Минска. После окончания средней школы поступил в Минский радиотехнический институт на специальность «полупроводники диэлектрики».  
Институт окончил с отличием в 1973 г. и был распределен на кафедру микроэлектроники Минского радиотехнического института с рекомендацией для поступления в аспирантуру.
К работе в институте приступил в августе 1973 года в должности инженера. В том же году поступил и в  1977 г. окончил заочное отделение аспирантуры института. С 1974 по 1988 гг. занимал должности младшего научного сотрудника, старшего инженера, старшего научного сотрудника, заведующего отраслевой лабораторией, заведующего отделом проблемной лаборатории.
Кандидатская диссертация «Низкоэнергетическая радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках» защищена в 1980 г. по специальности «физика полупроводников и   диэлектриков».
Докторская диссертация «Твердофазные процессы в полупроводниках при воздействии интенсивных потоков низкоэнергетических ионов, электронов, фотонов» защищена по той же специальности в 1988г.
В 1988-2000 гг. работал профессором кафедры микроэлектроники, в 2000-2001 гг. – деканом факультета радиотехники и электроники. С 2001 г. В. Е. Борисенко - проректор по ученой работе университета. Одновременно - он научный руководитель Центра наноэлектроники и новых материалов и лаборатории нанофотоники.
В 1982-1983 гг. стажировался в Дании в Орхусском и Копенгагенском университетах, где работал с представителями физической школы Нильса Бора.
В 1988 г. проводил научные исследования в Великобритании в Солфордском университете в научной группе профессора Дж. Картера.
С 1994-2002 гг. в сотрудничестве с зарубежными коллегами выполнено шесть международных научных проектов в рамках национальных и европейских программ Volkswagen-Stiftung, ESPRIT, INCO-Copernikus, INTAS. Установлены долговременные научные связи с университетами и научными центрами в Европе, США, Японии. Профессор В.Е. Борисенко приглашался для чтения лекций в Варшавский технический университет (Польша), Сианьский университет (КНР), Университет Йоханеса Кеплера (Линц, Австрия), Университет электросвязи (Токио, Япония), Миланский университет (Италия). С 1998 по 2000 г. в качестве приглашенного профессора читал лекции по наноэлектронике в Средиземноморском университете (Марсель, Франция). В 2002 г. участвовал в совместных научных исследованиях в Вуппертальском университете (Германия).
Разработал и ввел в учебный план университета новый курс «Наноэлектроника», а в 2001 г. организовал открытие новой специальности в системе высшего образования Беларуси – «квантовые информационные системы».

Профессор В.Е. Борисенко опубликовал более 200 печатных работ. Среди них 3 монографии, 2 учебных пособия. Имеет 49 авторских свидетельств на изобретения в области технологии полупроводниковой электроники. Подготовил доктора наук (В.В. Нелаев ) и 21 кандидата наук. Продолжает активную научную и педагогическую деятельность.

Публикации
 

1.    Борисенко, В.Е. Исследование диффузионных процессов, стимулированных низкоэнергетической ионной бомбардировкой в полупроводниковых кристаллах: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / В.Е. Борисенко; АН БССР, Ин-т физики твердого тела и полупроводников. – Минск, 1979. – 16 с.

2.    Борисенко, В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при воздействии интенсивных потоков низкоэнергических ионов, электронов и фотонов: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук / В.Е. Борисенко; Белорус. гос. ун-т им. В.И. Ленина. – Минск, 1987. – 36 с.

3.    Борисенко, В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / В.Е. Борисенко; под ред. В.А. Лабунова. – Минск: Навука і тэхніка, 1992. – 246, [2] с.: ил.

4.    Transport and thermoelectric properties of semiconducting rhenium silicide / V.E. Borisenko, [et al.] // Semiconductors. – 2005. – Vol. 39, № 4. – P. 395–399 .

5.    Borisenko, V.E. Tunnel magnetoresistance oscillations in a ferromagnet-insulator-ferromagnet system / V.E. Borisenko, A.L. Danilyuk, S.A. Ignatenko // Technical Physics. – 2005. – Vol. 50(6). – P. 680-684.

6.    Borisenko, V.E. Isostructural BaSi2, BaGe2 and SrGe2: electronic and optical properties / V.E. Borisenko, V.L. Shaposhnikov, D.B. Migas // Physica Status Solidi (b). – 2007. – Vol. 244(7). – P. 2611-2618.

7.    Наноматериалы и нанотехнологии / В.М. Анищик [и др.]; под ред. В.Е. Борисенко, Н.К. Толочко; Нац. акад. наук Беларуси, М-во образования Респ. Беларусь. – Минск: Издат. центр БГУ, 2008. – 372 с.: ил.

8.    Borisenko, V.E. Oscillations of tunnel magnetoresistance in ferromagnet-insulator-ferromagnet structures / V.E. Borisenko, A.L. Danilyuk, A.S. Panfilenok // Technical Physics. – 2008. – Vol. 53(4). – P. 479-484 .

9.    Борисенко, В.Е. Наноэлектроника : учеб. пособие для студентов высш. учеб. заведений по специальностям «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные системы» / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина. – М.: БИНОМ, Лаб. знаний, 2009. – 223 с.: ил., табл.

10.   Костров, А.И. Динамическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления / А.И. Костров, А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 5. – С. 393-400.

11.   Кухарев, А.В. Колебания намагниченности в наноструктуре ферромагнетик/немагнитный металл/ферромагнетик под действием поляризованного по спину тока / А.В. Кухарев, А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко // Микроэлектроника. – 2012. – Т. 41, № 1. – С. 9-19.